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使用配备集成载流环的IC具有很多优势：无需磁芯、基本没有磁滞、功率低、并且具有较高的温度精确度。但是，由于不存在磁芯，传感器容易受到磁体或传感器IC周围导线电流产生的杂散磁场的影响。为了抑制杂散磁场的出现，Allegro的很多电流传感器都具有双霍尔共模抑制方案。霍尔板的布置方式要确保当电流通过IC集成导体或载流环时，每个霍尔板感应的场极性相反。在图1中...

近日，在上海举办的中国国际半导体技术大会（CSTIC）上，三星电子就展示了自己的半导体工艺路线图，并提到了7nm、5nm工艺，三星在会上明确表示他们分别在2018年、2020年投入量产。三星和台积电的10nm工艺均是主打高效能、低功耗的移动芯片产品，并不能胜任桌面级处理器的需求，不过三星的7nm工艺则会面向高性能芯片市场，包括CPU、GPU、AI、服务器、ADAS（先进驾驶辅...

OFweek电子工程网讯 就算3D NAND的每位元成本与平面NAND相比较还不够低,NAND快闪存储已经成功地由平面转为3D,而DRAM还是维持2D架构;在此同时,DRAM制程的微缩也变得越来越困难,主要是因为储存电容的深宽比(aspect ratio)随着元件制程微缩而呈倍数增加。因此,为了要延长DRAM这种存储的寿命,在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。什么是3D超级DRAM (Super-DRAM)?为何我...